Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > LND150N3-G-P003
LND150N3-G-P003

LND150N3-G-P003 Microchip Technology

LND150%20C041114.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 1711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+44.94 грн
25+34.92 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LND150N3-G-P003 Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V, Power Dissipation (Max): 740mW (Ta), Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V.

Інші пропозиції LND150N3-G-P003 за ціною від 46.34 грн до 60.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology LND150 C041114.pdf MOSFETs DepletionMode MOSFET
на замовлення 3314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.01 грн
2000+46.34 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+49.59 грн
2000+48.05 грн
4000+47.15 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.01 грн
25+59.07 грн
100+56.05 грн
250+51.06 грн
500+48.22 грн
1000+47.41 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
236+60.01 грн
240+59.07 грн
244+58.13 грн
250+55.14 грн
500+50.23 грн
1000+47.41 грн
Мінімальне замовлення: 236 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150 C041114.pdf
LND150N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs DepletionMode MOSFET
на замовлення 3314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+47.01 грн
2000+46.34 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+49.59 грн
2000+48.05 грн
4000+47.15 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+60.01 грн
25+59.07 грн
100+56.05 грн
250+51.06 грн
500+48.22 грн
1000+47.41 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
236+60.01 грн
240+59.07 грн
244+58.13 грн
250+55.14 грн
500+50.23 грн
1000+47.41 грн
Мінімальне замовлення: 236 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.