Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > LND150N3-G

LND150N3-G

LND150%20C041114.pdf
Код товару: 60544
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції LND150N3-G за ціною від 30.02 грн до 80.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 4572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.98 грн
25+33.92 грн
100+30.02 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.06 грн
100+50.84 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
277+51.06 грн
278+50.84 грн
Мінімальне замовлення: 277 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+80.58 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150N3-G MICROCHIP 2306729.pdf Description: MICROCHIP - LND150N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 1000 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 740mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
на замовлення 5522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology LND150 C041114.pdf MOSFETs 500V 1KOhm
на замовлення 5734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 4572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.98 грн
25+33.92 грн
100+30.02 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G lnd150c041114.pdf
LND150N3-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+51.06 грн
100+50.84 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G lnd150c041114.pdf
LND150N3-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
277+51.06 грн
278+50.84 грн
Мінімальне замовлення: 277 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G lnd150c041114.pdf
LND150N3-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
176+80.58 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G 2306729.pdf
LND150N3-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - LND150N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 1000 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 740mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
на замовлення 5522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150 C041114.pdf
LND150N3-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 500V 1KOhm
на замовлення 5734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.