LND150N3-G Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 7424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 39.62 грн |
25+ | 33.3 грн |
100+ | 29.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LND150N3-G Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3, Packaging: Bag, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 740mW (Ta), Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V.
Інші пропозиції LND150N3-G за ціною від 28.5 грн до 69 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
LND150N3-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - LND150N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 850 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V euEccn: NLR Verlustleistung: 740mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LND150N3-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LND150N3-G | Виробник : Microchip Technology | MOSFET 500V 1KOhm |
на замовлення 13366 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LND150N3-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LND150N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 740mW; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 30mA Pulsed drain current: 0.03A Power dissipation: 0.74W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1kΩ Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: depleted |
на замовлення 1074 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LND150N3-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 9100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LND150N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 740mW; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 30mA Pulsed drain current: 0.03A Power dissipation: 0.74W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1kΩ Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: depleted кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1074 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LND150N3-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 1074 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LND150N3-G Код товару: 60544 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
LND150N3-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag |
товар відсутній |
||||||||||||||||
LND150N3-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag |
товар відсутній |