Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > LND150N8-g
LND150N8-g

LND150N8-g Microchip Technology

LND150%20C041114.pdf Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+41.77 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LND150N8-g Microchip Technology

Description: MICROCHIP - LND150N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 1000 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції LND150N8-g за ціною від 38.66 грн до 64.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
LND150N8-G LND150N8-G Виробник : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+51.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-g LND150N8-g Виробник : Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 15556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.11 грн
25+44.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G LND150N8-G Виробник : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+55.71 грн
4000+55.43 грн
8000+55.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G LND150N8-G Виробник : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
215+56.66 грн
217+56.12 грн
219+55.59 грн
250+53.09 грн
500+48.67 грн
1000+46.27 грн
Мінімальне замовлення: 215
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-g LND150N8-g Виробник : Microchip Technology LND150 C041114.pdf MOSFETs 500V 1KOhm
на замовлення 8448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.35 грн
25+48.16 грн
100+38.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-g LND150N8-g Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 1.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+60.51 грн
8+52.05 грн
10+49.63 грн
21+45.26 грн
56+42.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G LND150N8-G Виробник : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+60.70 грн
25+60.13 грн
100+57.43 грн
250+52.67 грн
500+50.06 грн
1000+49.57 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-g LND150N8-g Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 1.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.86 грн
10+59.56 грн
21+54.31 грн
56+51.41 грн
100+49.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G LND150N8-G Виробник : MICROCHIP MCHP-S-A0005985414-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - LND150N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 1000 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G LND150N8-G Виробник : MICROCHIP MCHP-S-A0005985414-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - LND150N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 1000 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G LND150N8-G Виробник : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G LND150N8-G Виробник : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G LND150N8-G Виробник : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G LND150N8-G Виробник : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.