Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > LND150N8-g
LND150N8-g

LND150N8-g Microchip Technology

LND150%20C041114.pdf Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+43.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LND150N8-g Microchip Technology

Description: MICROCHIP - LND150N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 850 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції LND150N8-g за ціною від 41.74 грн до 64.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
LND150N8-G LND150N8-G Виробник : MICROCHIP MCHP-S-A0005985414-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - LND150N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 850 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-g LND150N8-g Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 1.6W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
On-state resistance: 1kΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.03A
Case: SOT89-3
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.93 грн
10+46.48 грн
21+44.11 грн
56+41.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G LND150N8-G Виробник : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+50.26 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G LND150N8-G Виробник : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+55.84 грн
4000+55.56 грн
8000+55.37 грн
16000+53.11 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G LND150N8-G Виробник : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+56.66 грн
25+55.85 грн
100+53.07 грн
250+48.41 грн
500+45.78 грн
1000+45.08 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-g LND150N8-g Виробник : Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 13900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.95 грн
25+45.84 грн
100+42.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-g LND150N8-g Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 1.6W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
On-state resistance: 1kΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.03A
Case: SOT89-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+60.97 грн
10+55.78 грн
21+52.93 грн
56+50.09 грн
100+48.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G LND150N8-G Виробник : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+61.02 грн
203+60.14 грн
206+59.27 грн
250+56.31 грн
500+51.35 грн
1000+48.55 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G LND150N8-G Виробник : MICROCHIP MCHP-S-A0005985414-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - LND150N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 850 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+62.16 грн
25+51.13 грн
100+47.26 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-g LND150N8-g Виробник : Microchip Technology LND150_C041114-3445384.pdf MOSFETs 500V 1KOhm
на замовлення 8285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.30 грн
25+52.16 грн
100+41.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G LND150N8-G Виробник : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G LND150N8-G Виробник : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G LND150N8-G Виробник : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G LND150N8-G Виробник : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.