LND150N8-g Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 40.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LND150N8-g Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Supplier Device Package: SOT-89-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V.
Інші пропозиції LND150N8-g за ціною від 37.25 грн до 83.47 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
LND150N8-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LND150N8-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LND150N8-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LND150N8-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LND150N8-g | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V |
на замовлення 39953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LND150N8-g | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 1.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 30mA Pulsed drain current: 0.03A Power dissipation: 1.6W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1kΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: depleted |
на замовлення 1926 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LND150N8-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - LND150N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 850 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LND150N8-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LND150N8-g | Виробник : Microchip Technology | MOSFET 500V 1KOhm |
на замовлення 8976 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LND150N8-g | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 1.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 30mA Pulsed drain current: 0.03A Power dissipation: 1.6W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1kΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: depleted кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1926 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LND150N8-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LND150N8-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 1926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LND150N8-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - LND150N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 850 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
LND150N8-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
LND150N8-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |