LND150N8-g

LND150N8-g Microchip Technology


LND150%20C041114.pdf Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 38000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+40.57 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LND150N8-g Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Supplier Device Package: SOT-89-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V.

Інші пропозиції LND150N8-g за ціною від 37.25 грн до 83.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
LND150N8-G LND150N8-G Виробник : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+44.64 грн
Мінімальне замовлення: 2000
LND150N8-G LND150N8-G Виробник : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+47.43 грн
Мінімальне замовлення: 2000
LND150N8-G LND150N8-G Виробник : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+47.43 грн
Мінімальне замовлення: 2000
LND150N8-G LND150N8-G Виробник : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+48.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000
LND150N8-g LND150N8-g Виробник : Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 39953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+53.44 грн
25+ 42.31 грн
100+ 39.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
LND150N8-g LND150N8-g Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY lnd150.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 1.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
на замовлення 1926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+54.67 грн
8+ 47.29 грн
10+ 44.99 грн
20+ 41.1 грн
54+ 38.87 грн
100+ 37.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
LND150N8-G LND150N8-G Виробник : MICROCHIP MCHP-S-A0005985414-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - LND150N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 850 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+55.05 грн
25+ 45.31 грн
Мінімальне замовлення: 14
LND150N8-G LND150N8-G Виробник : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+55.41 грн
25+ 52.99 грн
100+ 48.75 грн
Мінімальне замовлення: 11
LND150N8-g LND150N8-g Виробник : Microchip Technology supertex_lnd150-1181133.pdf MOSFET 500V 1KOhm
на замовлення 8976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+57.25 грн
25+ 46.45 грн
100+ 37.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
LND150N8-g LND150N8-g Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY lnd150.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 1.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1926 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+58.93 грн
10+ 53.99 грн
20+ 49.32 грн
54+ 46.65 грн
100+ 45.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
LND150N8-G LND150N8-G Виробник : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
191+61.42 грн
197+ 59.68 грн
Мінімальне замовлення: 191
LND150N8-G LND150N8-G Виробник : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
141+83.47 грн
162+ 72.34 грн
250+ 70.08 грн
500+ 65.53 грн
1000+ 58.9 грн
Мінімальне замовлення: 141
LND150N8-G LND150N8-G Виробник : MICROCHIP MCHP-S-A0005985414-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - LND150N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 850 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
LND150N8-G LND150N8-G Виробник : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
LND150N8-G LND150N8-G Виробник : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній