LND250K1-G Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 29.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LND250K1-G Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V.
Інші пропозиції LND250K1-G за ціною від 28.02 грн до 54.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
LND250K1-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET 500V 1KOhm |
на замовлення 32580 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
LND250K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V |
на замовлення 16911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
LND250K1-G | Виробник : Microchip Technology / Atmel |
MOSFET 500V 1KOhm |
на замовлення 31455 шт: термін постачання 633-642 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
LND250K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
LND250K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
LND250K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
LND250K1-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13mA; Idm: 30A; 0.36W; SOT23-3 Mounting: SMD Case: SOT23-3 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 500V Drain current: 13mA On-state resistance: 1kΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.36W Polarisation: unipolar Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 30A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
LND250K1-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13mA; Idm: 30A; 0.36W; SOT23-3 Mounting: SMD Case: SOT23-3 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 500V Drain current: 13mA On-state resistance: 1kΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.36W Polarisation: unipolar Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 30A |
товар відсутній |