LP0701LG-G Microchip Technology
на замовлення 3225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 106.63 грн |
| 10+ | 105.03 грн |
| 25+ | 103.37 грн |
| 100+ | 98.14 грн |
| 250+ | 89.38 грн |
| 500+ | 84.44 грн |
| 1000+ | 83.07 грн |
| 3000+ | 81.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LP0701LG-G Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 16.5V 700MA 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 300mA, 5V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1.1mA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 16.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V.
Інші пропозиції LP0701LG-G за ціною від 87.93 грн до 187.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
LP0701LG-G | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET P-CH Si 16.5V 0.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 3225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
LP0701LG-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 16.5V 0.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 3750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
LP0701LG-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET 16.5V 1.5Ohm |
на замовлення 2445 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
LP0701LG-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 16.5V 0.7A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
LP0701LG-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 16.5V 0.7A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
LP0701LG-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -16.5V; -1.25A; 1.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -16.5V Pulsed drain current: -1.25A Power dissipation: 1.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
LP0701LG-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 16.5V 700MA 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 300mA, 5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1.1mA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 16.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
LP0701LG-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 16.5V 700MA 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 300mA, 5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1.1mA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 16.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
LP0701LG-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -16.5V; -1.25A; 1.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -16.5V Pulsed drain current: -1.25A Power dissipation: 1.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |