LP0701N3-G Microchip Technology
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 67.85 грн |
| 18+ | 34.27 грн |
| 25+ | 33.94 грн |
| 100+ | 32.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LP0701N3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - LP0701N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16.5 V, 500 mA, 1.3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 16.5V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції LP0701N3-G за ціною від 91.63 грн до 205.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
LP0701N3-G | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET P-CH Si 16.5V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
LP0701N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 16.5V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
LP0701N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 16.5V 500MA TO92 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 300mA, 5V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 16.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V |
на замовлення 709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
LP0701N3-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - LP0701N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16.5 V, 500 mA, 1.3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 16.5V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 571 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
LP0701N3-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 16.5V 1.5Ohm |
на замовлення 455 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
LP0701N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 16.5V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
LP0701N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 16.5V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
| LP0701N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
LP0701N3-G THT P channel transistors |
на замовлення 110 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
 |
LP0701N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 16.5V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag |
товару немає в наявності |