Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > LP0701N3-G
LP0701N3-G

LP0701N3-G Microchip Technology

LP0701-P-Channel-Enhancement-Mode-Lateral-MOSFET-Data-Sheet-20005447A.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 16.5V 500MA TO92
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 300mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16.5 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+144.58 грн
25+115.55 грн
100+106.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LP0701N3-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - LP0701N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16.5 V, 500 mA, 1.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 16.5V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm.

Інші пропозиції LP0701N3-G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
LP0701N3-G LP0701N3-G MICROCHIP 2595634.pdf Description: MICROCHIP - LP0701N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16.5 V, 500 mA, 1.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 16.5V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LP0701N3-G LP0701N3-G Microchip Technology LP0701_P_Channel_Enhancement_Mode_Lateral_MOSFET_D-3443895.pdf MOSFETs 16.5V 1.5Ohm
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LP0701N3-G 2595634.pdf
LP0701N3-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - LP0701N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16.5 V, 500 mA, 1.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 16.5V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LP0701N3-G LP0701_P_Channel_Enhancement_Mode_Lateral_MOSFET_D-3443895.pdf
LP0701N3-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 16.5V 1.5Ohm
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.