LQH2HPN100MJRL Murata Electronics
Виробник: Murata Electronics
Description: FIXED IND 10UH 490MA 456MOHM SMD
Tolerance: ±20%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 456mOhm Max
Frequency - Self Resonant: 30MHz
Current - Saturation (Isat): 830mA
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 1008 (2520 Metric)
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Last Time Buy
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 490 mA
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 28.15 грн |
| 13+ | 23.95 грн |
| 25+ | 20.48 грн |
| 50+ | 17.63 грн |
| 100+ | 16.03 грн |
| 250+ | 15.07 грн |
| 500+ | 13.24 грн |
| 1000+ | 10.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LQH2HPN100MJRL Murata Electronics
Description: MURATA - LQH2HPN100MJRL - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, 830 mA, Halbgeschirmt, 830 mA, LQH2HPN_JR, tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 1.1mm, rohsCompliant: YES, Induktivität: 10µH, Bauart der Induktivität: Halbgeschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520], DC-Widerstand, max.: 0.456ohm, Bauform - Leistungsinduktivität: 2.5mm x 2mm x 1.1mm, usEccn: EAR99, RMS-Strom Irms: 830mA, Sättigungsstrom (Isat): 830mA, Produktlänge: 2.5mm, euEccn: NLR, Produktpalette: LQH2HPN_JR, productTraceability: No, Produktbreite: 2mm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції LQH2HPN100MJRL за ціною від 22.22 грн до 35.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
LQH2HPN100MJRL | MURATA |
Description: MURATA - LQH2HPN100MJRL - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, 830 mA, Halbgeschirmt, 830 mA, LQH2HPN_JRtariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 10µH Bauart der Induktivität: Halbgeschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520] DC-Widerstand, max.: 0.456ohm Bauform - Leistungsinduktivität: 2.5mm x 2mm x 1.1mm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 830mA Sättigungsstrom (Isat): 830mA Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: LQH2HPN_JR productTraceability: No Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
LQH2HPN100MJRL | MURATA |
Description: MURATA - LQH2HPN100MJRL - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, 830 mA, Halbgeschirmt, 830 mA, LQH2HPN_JRtariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 10µH Bauart der Induktivität: Halbgeschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520] DC-Widerstand, max.: 0.456ohm Bauform - Leistungsinduktivität: 2.5mm x 2mm x 1.1mm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 830mA Sättigungsstrom (Isat): 830mA Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: LQH2HPN_JR productTraceability: No Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| LQH2HPN100MJRL | Murata |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Ferrite 0.83A 0.456Ohm DCR 1008 T/R |
на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| LQH2HPN100MJRL |
![]() |
Виробник: MURATA
Description: MURATA - LQH2HPN100MJRL - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, 830 mA, Halbgeschirmt, 830 mA, LQH2HPN_JR
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.1mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Halbgeschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520]
DC-Widerstand, max.: 0.456ohm
Bauform - Leistungsinduktivität: 2.5mm x 2mm x 1.1mm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 830mA
Sättigungsstrom (Isat): 830mA
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: LQH2HPN_JR
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: MURATA - LQH2HPN100MJRL - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, 830 mA, Halbgeschirmt, 830 mA, LQH2HPN_JR
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.1mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Halbgeschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520]
DC-Widerstand, max.: 0.456ohm
Bauform - Leistungsinduktivität: 2.5mm x 2mm x 1.1mm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 830mA
Sättigungsstrom (Isat): 830mA
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: LQH2HPN_JR
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| LQH2HPN100MJRL |
![]() |
Виробник: MURATA
Description: MURATA - LQH2HPN100MJRL - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, 830 mA, Halbgeschirmt, 830 mA, LQH2HPN_JR
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.1mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Halbgeschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520]
DC-Widerstand, max.: 0.456ohm
Bauform - Leistungsinduktivität: 2.5mm x 2mm x 1.1mm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 830mA
Sättigungsstrom (Isat): 830mA
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: LQH2HPN_JR
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: MURATA - LQH2HPN100MJRL - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, 830 mA, Halbgeschirmt, 830 mA, LQH2HPN_JR
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.1mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Halbgeschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520]
DC-Widerstand, max.: 0.456ohm
Bauform - Leistungsinduktivität: 2.5mm x 2mm x 1.1mm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 830mA
Sättigungsstrom (Isat): 830mA
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: LQH2HPN_JR
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| LQH2HPN100MJRL |
![]() |
Виробник: Murata
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Ferrite 0.83A 0.456Ohm DCR 1008 T/R
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Ferrite 0.83A 0.456Ohm DCR 1008 T/R
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 35.59 грн |
| 25+ | 31.09 грн |
| 100+ | 22.22 грн |


