Технічний опис LQH2HPZ4R7MDRL Murata Electronics
Description: MURATA - LQH2HPZ4R7MDRL - Leistungsinduktivität (SMD), AEC-Q200, 4.7 µH, 650 mA, Halbgeschirmt, 650 mA, LQH2HPZ_DR, tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 0.55mm, rohsCompliant: YES, Induktivität: 4.7µH, Bauart der Induktivität: Halbgeschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: -, DC-Widerstand, max.: 0.672ohm, Bauform - Leistungsinduktivität: 2.5mm x 2mm x 0.55mm, usEccn: EAR99, Sättigungsstrom (Isat): 650mA, RMS-Strom Irms: 650mA, Produktlänge: 2.5mm, euEccn: NLR, Produktpalette: LQH2HPZ_DR, productTraceability: No, Produktbreite: 2mm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції LQH2HPZ4R7MDRL за ціною від 12.54 грн до 16.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
LQH2HPZ4R7MDRL | MURATA |
 Description: MURATA - LQH2HPZ4R7MDRL - Leistungsinduktivität (SMD), AEC-Q200, 4.7 µH, 650 mA, Halbgeschirmt, 650 mA, LQH2HPZ_DRtariffCode: 85045000 Produkthöhe: 0.55mm rohsCompliant: YES Induktivität: 4.7µH Bauart der Induktivität: Halbgeschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.672ohm Bauform - Leistungsinduktivität: 2.5mm x 2mm x 0.55mm usEccn: EAR99 Sättigungsstrom (Isat): 650mA RMS-Strom Irms: 650mA Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: LQH2HPZ_DR productTraceability: No Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
LQH2HPZ4R7MDRL | MURATA |
Description: MURATA - LQH2HPZ4R7MDRL - Leistungsinduktivität (SMD), AEC-Q200, 4.7 µH, 650 mA, Halbgeschirmt, 650 mA, LQH2HPZ_DR tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 0.55mm rohsCompliant: YES Induktivität: 4.7µH Bauart der Induktivität: Halbgeschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.672ohm Bauform - Leistungsinduktivität: 2.5mm x 2mm x 0.55mm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 650mA Sättigungsstrom (Isat): 650mA Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: LQH2HPZ_DR productTraceability: No Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| LQH2HPZ4R7MDRL | Murata |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 4.7uH 20% 1MHz Ferrite 0.65A 0.672Ohm DCR 1008 Automotive T/R |
на замовлення 3833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| LQH2HPZ4R7MDRL |
|
Виробник: MURATA
Description: MURATA - LQH2HPZ4R7MDRL - Leistungsinduktivität (SMD), AEC-Q200, 4.7 µH, 650 mA, Halbgeschirmt, 650 mA, LQH2HPZ_DR
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 0.55mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 4.7µH
Bauart der Induktivität: Halbgeschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.672ohm
Bauform - Leistungsinduktivität: 2.5mm x 2mm x 0.55mm
usEccn: EAR99
Sättigungsstrom (Isat): 650mA
RMS-Strom Irms: 650mA
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: LQH2HPZ_DR
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: MURATA - LQH2HPZ4R7MDRL - Leistungsinduktivität (SMD), AEC-Q200, 4.7 µH, 650 mA, Halbgeschirmt, 650 mA, LQH2HPZ_DR
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 0.55mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 4.7µH
Bauart der Induktivität: Halbgeschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.672ohm
Bauform - Leistungsinduktivität: 2.5mm x 2mm x 0.55mm
usEccn: EAR99
Sättigungsstrom (Isat): 650mA
RMS-Strom Irms: 650mA
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: LQH2HPZ_DR
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| LQH2HPZ4R7MDRL |
|
Виробник: MURATA
Description: MURATA - LQH2HPZ4R7MDRL - Leistungsinduktivität (SMD), AEC-Q200, 4.7 µH, 650 mA, Halbgeschirmt, 650 mA, LQH2HPZ_DR
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 0.55mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 4.7µH
Bauart der Induktivität: Halbgeschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.672ohm
Bauform - Leistungsinduktivität: 2.5mm x 2mm x 0.55mm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 650mA
Sättigungsstrom (Isat): 650mA
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: LQH2HPZ_DR
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: MURATA - LQH2HPZ4R7MDRL - Leistungsinduktivität (SMD), AEC-Q200, 4.7 µH, 650 mA, Halbgeschirmt, 650 mA, LQH2HPZ_DR
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 0.55mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 4.7µH
Bauart der Induktivität: Halbgeschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.672ohm
Bauform - Leistungsinduktivität: 2.5mm x 2mm x 0.55mm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 650mA
Sättigungsstrom (Isat): 650mA
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: LQH2HPZ_DR
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| LQH2HPZ4R7MDRL |
|
Виробник: Murata
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 4.7uH 20% 1MHz Ferrite 0.65A 0.672Ohm DCR 1008 Automotive T/R
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 4.7uH 20% 1MHz Ferrite 0.65A 0.672Ohm DCR 1008 Automotive T/R
на замовлення 3833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 46+ | 16.62 грн |
| 47+ | 16.13 грн |
| 50+ | 15.30 грн |
| 100+ | 13.95 грн |
| 250+ | 13.18 грн |
| 500+ | 12.97 грн |
| 1000+ | 12.76 грн |
| 3000+ | 12.54 грн |