LQH5BPZ2R2NT0L Murata Electronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
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Технічний опис LQH5BPZ2R2NT0L Murata Electronics
Description: MURATA - LQH5BPZ2R2NT0L - Leistungsinduktivität (SMD), AEC-Q200, 2.2 µH, 2.6 A, Halbgeschirmt, 4 A, LQH5BPZ_T0, tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 2mm, rohsCompliant: YES, Induktivität: 2.2µH, Bauart der Induktivität: Halbgeschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 30%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: 2020 [Metrisch 5050], DC-Widerstand, max.: 0.036ohm, Bauform - Leistungsinduktivität: 5mm x 5mm x 2mm, usEccn: EAR99, Sättigungsstrom (Isat): 4A, RMS-Strom Irms: 2.6A, Produktlänge: 5mm, euEccn: NLR, Produktpalette: LQH5BPZ_T0, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Produktbreite: 5mm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції LQH5BPZ2R2NT0L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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LQH5BPZ2R2NT0L | Murata Electronics |
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LQH5BPZ2R2NT0L | MURATA |
Description: MURATA - LQH5BPZ2R2NT0L - Leistungsinduktivität (SMD), AEC-Q200, 2.2 µH, 2.6 A, Halbgeschirmt, 4 A, LQH5BPZ_T0 tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 2.2µH Bauart der Induktivität: Halbgeschirmt Induktivitätstoleranz: ± 30% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 2020 [Metrisch 5050] DC-Widerstand, max.: 0.036ohm Bauform - Leistungsinduktivität: 5mm x 5mm x 2mm usEccn: EAR99 Sättigungsstrom (Isat): 4A RMS-Strom Irms: 2.6A Produktlänge: 5mm euEccn: NLR Produktpalette: LQH5BPZ_T0 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 5mm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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LQH5BPZ2R2NT0L | MURATA |
Description: MURATA - LQH5BPZ2R2NT0L - Leistungsinduktivität (SMD), AEC-Q200, 2.2 µH, 2.6 A, Halbgeschirmt, 4 A, LQH5BPZ_T0 tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 2.2µH Bauart der Induktivität: Halbgeschirmt Induktivitätstoleranz: ± 30% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 2020 [Metrisch 5050] DC-Widerstand, max.: 0.036ohm Bauform - Leistungsinduktivität: 5mm x 5mm x 2mm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 2.6A Sättigungsstrom (Isat): 4A Produktlänge: 5mm euEccn: NLR Produktpalette: LQH5BPZ_T0 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 5mm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| LQH5BPZ2R2NT0L |
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Виробник: Murata Electronics
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| LQH5BPZ2R2NT0L |
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Виробник: MURATA
Description: MURATA - LQH5BPZ2R2NT0L - Leistungsinduktivität (SMD), AEC-Q200, 2.2 µH, 2.6 A, Halbgeschirmt, 4 A, LQH5BPZ_T0
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Produkthöhe: 2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 2.2µH
Bauart der Induktivität: Halbgeschirmt
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Bauform/Gehäuse der Induktivität: 2020 [Metrisch 5050]
DC-Widerstand, max.: 0.036ohm
Bauform - Leistungsinduktivität: 5mm x 5mm x 2mm
usEccn: EAR99
Sättigungsstrom (Isat): 4A
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Produktlänge: 5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: LQH5BPZ_T0
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Produktbreite: 5mm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: MURATA - LQH5BPZ2R2NT0L - Leistungsinduktivität (SMD), AEC-Q200, 2.2 µH, 2.6 A, Halbgeschirmt, 4 A, LQH5BPZ_T0
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Bauform/Gehäuse der Induktivität: 2020 [Metrisch 5050]
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Bauform - Leistungsinduktivität: 5mm x 5mm x 2mm
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Produktlänge: 5mm
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Produktbreite: 5mm
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| LQH5BPZ2R2NT0L |
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Виробник: MURATA
Description: MURATA - LQH5BPZ2R2NT0L - Leistungsinduktivität (SMD), AEC-Q200, 2.2 µH, 2.6 A, Halbgeschirmt, 4 A, LQH5BPZ_T0
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Induktivität: 2.2µH
Bauart der Induktivität: Halbgeschirmt
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Bauform/Gehäuse der Induktivität: 2020 [Metrisch 5050]
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Bauform - Leistungsinduktivität: 5mm x 5mm x 2mm
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: MURATA - LQH5BPZ2R2NT0L - Leistungsinduktivität (SMD), AEC-Q200, 2.2 µH, 2.6 A, Halbgeschirmt, 4 A, LQH5BPZ_T0
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