на замовлення 4396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1559.84 грн |
| 10+ | 1446.91 грн |
| 25+ | 1068.38 грн |
| 100+ | 1024.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LSIC1MO120E0080 IXYS
Description: LITTELFUSE - LSIC1MO120E0080 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247, tariffCode: 85411000, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 179W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції LSIC1MO120E0080 за ціною від 824.92 грн до 1594.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
LSIC1MO120E0080 | Виробник : LITTELFUSE |
 Description: LITTELFUSE - LSIC1MO120E0080 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 179W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
LSIC1MO120E0080 | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247AD Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +22V, -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 800 V |
на замовлення 376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LSIC1MO120E0080 Код товару: 138007
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
 |
LSIC1MO120E0080 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| LSIC1MO120E0080 | Виробник : LITTELFUSE |
LSIC1MO120E0080 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |