Продукція > LITTELFUSE > LSIC1MO120E0080
LSIC1MO120E0080

LSIC1MO120E0080 LITTELFUSE

LFSI-S-A0010795557-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - LSIC1MO120E0080 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1343.75 грн
5+1195.52 грн
10+1047.28 грн
50+834.84 грн
100+755.43 грн
250+739.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LSIC1MO120E0080 LITTELFUSE

Description: LITTELFUSE - LSIC1MO120E0080 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247, tariffCode: 85411000, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 179W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції LSIC1MO120E0080 за ціною від 940.52 грн до 1496.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
LSIC1MO120E0080 LSIC1MO120E0080 Виробник : IXYS Littelfuse_Power_Semiconductor_Silicon_Carbide_LSIC1MO120E0080_Datasheet.pdf SiC MOSFETs 1200V 80mOhm SiC MOSFET
на замовлення 4159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1346.16 грн
10+1064.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0080 LSIC1MO120E0080 Виробник : Littelfuse Inc. lsic1mo120e0080-datasheet?assetguid=9e96c4dc-c34c-40d1-83e3-ac2354122421 Description: SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 800 V
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1496.18 грн
30+1013.10 грн
120+940.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0080
Код товару: 138007
Додати до обраних Обраний товар

lsic1mo120e0080-datasheet?assetguid=9e96c4dc-c34c-40d1-83e3-ac2354122421 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0080 LSIC1MO120E0080 Виробник : Littelfuse iconductor_silicon_carbide_lsic1mo120e0080_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.