LSIC1MO120E0120
Код товару: 183409
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Корпус: TO-247
Uds,V: 1200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 120 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1130/63
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції LSIC1MO120E0120 за ціною від 742.41 грн до 1243.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
LSIC1MO120E0120 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
LSIC1MO120E0120 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
LSIC1MO120E0120 | Виробник : Littelfuse |
MOSFET 1200 V 120 mOhm SiC Mosfet |
на замовлення 1710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
LSIC1MO120E0120 | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 20V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7mA Supplier Device Package: TO-247AD Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +22V, -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 800 V |
на замовлення 854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
LSIC1MO120E0120 | Виробник : IXYS |
MOSFET 1200 V 120 mOhm SiC Mosfet |
на замовлення 1684 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|