Продукція > LITTELFUSE > LSIC1MO120E0120
LSIC1MO120E0120

LSIC1MO120E0120 Littelfuse

media.pdf Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+815.95 грн
10+791.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LSIC1MO120E0120 Littelfuse

Description: SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 20V, Power Dissipation (Max): 139W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7mA, Supplier Device Package: TO-247AD, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +22V, -6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 800 V.

Інші пропозиції LSIC1MO120E0120 за ціною від 795.46 грн до 1352.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
LSIC1MO120E0120 LSIC1MO120E0120 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+878.71 грн
15+852.21 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0120 LSIC1MO120E0120 Виробник : Littelfuse media-3322696.pdf MOSFET 1200 V 120 mOhm SiC Mosfet
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1190.26 грн
10+1059.58 грн
25+911.56 грн
50+891.94 грн
100+832.33 грн
250+822.52 грн
450+807.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0120 LSIC1MO120E0120 Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_power_semiconductor_silicon_carbide_lsic1mo120e0120_datasheet.pdf.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 20V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 800 V
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1275.03 грн
30+993.77 грн
120+935.31 грн
510+795.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0120 LSIC1MO120E0120 Виробник : IXYS media-3322696.pdf MOSFET 1200 V 120 mOhm SiC Mosfet
на замовлення 1684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1352.25 грн
10+1174.13 грн
25+996.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0120 LSIC1MO120E0120
Код товару: 183409
Додати до обраних Обраний товар

Carbide_LSI-1307960.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 1200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 120 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1130/63
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0120 LSIC1MO120E0120 Виробник : Littelfuse iconductor_silicon_carbide_lsic1mo120e0120_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0120 Виробник : LITTELFUSE littelfuse_power_semiconductor_silicon_carbide_lsic1mo120e0120_datasheet.pdf.pdf LSIC1MO120E0120 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.