LSIC1MO120E0120
Код товару: 183409
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, V: 1200 V
Струм стоку Idd, A: 18 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 120 mOhm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1130/63
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції LSIC1MO120E0120 за ціною від 738.66 грн до 1237.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
LSIC1MO120E0120 | Littelfuse |
MOSFET 1200 V 120 mOhm SiC Mosfet |
на замовлення 1710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
LSIC1MO120E0120 | Littelfuse Inc. |
Description: SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3 Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +22V, -6V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247AD Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7mA Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) |
на замовлення 854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
LSIC1MO120E0120 | IXYS |
MOSFET 1200 V 120 mOhm SiC Mosfet |
на замовлення 1684 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| LSIC1MO120E0120 |
|
Виробник: Littelfuse
MOSFET 1200 V 120 mOhm SiC Mosfet
MOSFET 1200 V 120 mOhm SiC Mosfet
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1088.90 грн |
| 10+ | 969.34 грн |
| 25+ | 833.93 грн |
| 50+ | 815.98 грн |
| 100+ | 761.45 грн |
| 250+ | 752.47 грн |
| 450+ | 738.66 грн |
| LSIC1MO120E0120 |
|
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AD
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7mA
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Description: SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AD
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7mA
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1213.10 грн |
| 30+ | 945.51 грн |
| 120+ | 889.88 грн |
| 510+ | 756.83 грн |
| LSIC1MO120E0120 |
|
Виробник: IXYS
MOSFET 1200 V 120 mOhm SiC Mosfet
MOSFET 1200 V 120 mOhm SiC Mosfet
на замовлення 1684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1237.09 грн |
| 10+ | 1074.14 грн |
| 25+ | 911.25 грн |