Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > LSIC1MO120E0120
LSIC1MO120E0120

LSIC1MO120E0120

Carbide_LSI-1307960.pdf
Код товару: 183409
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 1200 В
Струм стоку Idd, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 120 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1130/63
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції LSIC1MO120E0120 за ціною від 753.31 грн до 1313.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
LSIC1MO120E0120 LSIC1MO120E0120 Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1025.22 грн
10+994.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0120 LSIC1MO120E0120 Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1025.22 грн
15+994.30 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0120 LSIC1MO120E0120 Littelfuse media-3322696.pdf MOSFET 1200 V 120 mOhm SiC Mosfet
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1156.10 грн
10+1029.16 грн
25+885.40 грн
50+866.34 грн
100+808.44 грн
250+798.91 грн
450+784.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0120 LSIC1MO120E0120 Littelfuse Inc. littelfuse_power_semiconductor_silicon_carbide_lsic1mo120e0120_datasheet.pdf.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 20V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 800 V
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1207.47 грн
30+941.12 грн
120+885.75 грн
510+753.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0120 LSIC1MO120E0120 IXYS media-3322696.pdf MOSFET 1200 V 120 mOhm SiC Mosfet
на замовлення 1684 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1313.44 грн
10+1140.42 грн
25+967.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0120 media.pdf
LSIC1MO120E0120
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1025.22 грн
10+994.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0120 media.pdf
LSIC1MO120E0120
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+1025.22 грн
15+994.30 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0120 media-3322696.pdf
LSIC1MO120E0120
Виробник: Littelfuse
MOSFET 1200 V 120 mOhm SiC Mosfet
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1156.10 грн
10+1029.16 грн
25+885.40 грн
50+866.34 грн
100+808.44 грн
250+798.91 грн
450+784.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0120 littelfuse_power_semiconductor_silicon_carbide_lsic1mo120e0120_datasheet.pdf.pdf
LSIC1MO120E0120
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 20V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 800 V
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1207.47 грн
30+941.12 грн
120+885.75 грн
510+753.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0120 media-3322696.pdf
LSIC1MO120E0120
Виробник: IXYS
MOSFET 1200 V 120 mOhm SiC Mosfet
на замовлення 1684 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1313.44 грн
10+1140.42 грн
25+967.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.