LSIC1MO120E0160 Littelfuse Inc.
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 781.60 грн |
| 30+ | 478.46 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LSIC1MO120E0160 Littelfuse Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 20A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 10A, 20V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247AD, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +22V, -6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 800 V.
Інші пропозиції LSIC1MO120E0160 за ціною від 559.76 грн до 1220.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
LSIC1MO120E0160 | IXYS |
 SiC MOSFETs 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet |
на замовлення 445 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| LSIC1MO120E0160 |
|
Виробник: IXYS
SiC MOSFETs 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet
SiC MOSFETs 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet
на замовлення 445 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1220.08 грн |
| 10+ | 973.37 грн |
| 100+ | 789.23 грн |
| 450+ | 632.73 грн |
| 900+ | 559.76 грн |