Продукція > LITTELFUSE INC. > LSIC1MO120E0160
LSIC1MO120E0160

LSIC1MO120E0160 Littelfuse Inc.

littelfuse_power_semiconductor_silicon_carbide_lsic1mo120e0160_datasheet.pdf.pdf
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 800 V
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+608.37 грн
30+491.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LSIC1MO120E0160 Littelfuse Inc.

Description: SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 10A, 20V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247AD, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +22V, -6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 800 V.

Інші пропозиції LSIC1MO120E0160 за ціною від 515.26 грн до 956.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
LSIC1MO120E0160 LSIC1MO120E0160 IXYS Littelfuse_Power_Semiconductor_Silicon_Carbide__LSIC1MO120E0160_Datasheet.pdf SiC MOSFETs 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet
на замовлення 548 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+918.38 грн
10+768.71 грн
100+620.80 грн
450+585.62 грн
900+515.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0160 LSIC1MO120E0160 Littelfuse littelfuse_power_semiconductor_silicon_carbide_lsic1mo120e0160_datasheet.pdf.pdf MOSFET 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet
на замовлення 593 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+956.86 грн
10+831.08 грн
25+711.69 грн
50+689.70 грн
100+624.47 грн
250+613.47 грн
450+607.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0160 Littelfuse_Power_Semiconductor_Silicon_Carbide__LSIC1MO120E0160_Datasheet.pdf
LSIC1MO120E0160
Виробник: IXYS
SiC MOSFETs 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet
на замовлення 548 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+918.38 грн
10+768.71 грн
100+620.80 грн
450+585.62 грн
900+515.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0160 littelfuse_power_semiconductor_silicon_carbide_lsic1mo120e0160_datasheet.pdf.pdf
LSIC1MO120E0160
Виробник: Littelfuse
MOSFET 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet
на замовлення 593 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+956.86 грн
10+831.08 грн
25+711.69 грн
50+689.70 грн
100+624.47 грн
250+613.47 грн
450+607.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.