Продукція > LITTELFUSE INC. > LSIC1MO120E0160
LSIC1MO120E0160

LSIC1MO120E0160 Littelfuse Inc.

littelfuse_power_semiconductor_silicon_carbide_lsic1mo120e0160_datasheet.pdf.pdf Виробник: Littelfuse Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 800 V
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+643.72 грн
30+520.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LSIC1MO120E0160 Littelfuse Inc.

Description: SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 10A, 20V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247AD, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +22V, -6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 800 V.

Інші пропозиції LSIC1MO120E0160 за ціною від 533.08 грн до 993.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
LSIC1MO120E0160 LSIC1MO120E0160 Виробник : Littelfuse littelfuse_power_semiconductor_silicon_carbide_lsic1mo120e0160_datasheet.pdf.pdf MOSFET 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+987.14 грн
10+857.39 грн
25+734.21 грн
50+711.53 грн
100+644.23 грн
250+632.89 грн
450+626.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0160 LSIC1MO120E0160 Виробник : IXYS Littelfuse-Power-Semiconductor-Silicon-Carbide--LSIC1MO120E0160-Datasheet.pdf SiC MOSFETs 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+993.32 грн
10+615.65 грн
100+533.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0160 LSIC1MO120E0160 Виробник : Littelfuse iconductor_silicon_carbide_lsic1mo120e0160_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0160 LSIC1MO120E0160 Виробник : Littelfuse iconductor_silicon_carbide_lsic1mo120e0160_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0160 LSIC1MO120E0160 Виробник : Littelfuse iconductor_silicon_carbide_lsic1mo120e0160_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0160 Виробник : LITTELFUSE littelfuse_power_semiconductor_silicon_carbide_lsic1mo120e0160_datasheet.pdf.pdf LSIC1MO120E0160 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.