LSIC1MO120E0160 Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 800 V
на замовлення 1448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 738.67 грн |
| 10+ | 626.82 грн |
| 100+ | 542.13 грн |
| 500+ | 461.07 грн |
| 1000+ | 422.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LSIC1MO120E0160 Littelfuse Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 10A, 20V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247AD, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +22V, -6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 800 V.
Інші пропозиції LSIC1MO120E0160 за ціною від 550.67 грн до 867.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
LSIC1MO120E0160 | Виробник : Littelfuse |
MOSFET 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet |
на замовлення 593 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
LSIC1MO120E0160 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
LSIC1MO120E0160 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
LSIC1MO120E0160 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
LSIC1MO120E0160 | Виробник : LITTELFUSE |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 14A; Idm: 44A; 125W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Gate charge: 57nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 44A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 14A On-state resistance: 0.16Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
LSIC1MO120E0160 | Виробник : LITTELFUSE |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 14A; Idm: 44A; 125W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Gate charge: 57nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 44A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 14A On-state resistance: 0.16Ω Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |