Продукція > LITTELFUSE INC. > LSIC1MO120E0160
LSIC1MO120E0160

LSIC1MO120E0160 Littelfuse Inc.

littelfuse_power_semiconductor_silicon_carbide_lsic1mo120e0160_datasheet.pdf.pdf
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AD
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 10A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+611.21 грн
30+493.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LSIC1MO120E0160 Littelfuse Inc.

Description: SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 20 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Vgs (Max): +22V, -6V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-247AD, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 10A, 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції LSIC1MO120E0160 за ціною від 485.31 грн до 901.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
LSIC1MO120E0160 LSIC1MO120E0160 IXYS Littelfuse_Power_Semiconductor_Silicon_Carbide__LSIC1MO120E0160_Datasheet.pdf SiC MOSFETs 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+865.00 грн
10+724.03 грн
100+575.05 грн
450+551.58 грн
900+485.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0160 LSIC1MO120E0160 Littelfuse littelfuse_power_semiconductor_silicon_carbide_lsic1mo120e0160_datasheet.pdf.pdf MOSFET 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+901.24 грн
10+782.78 грн
25+670.32 грн
50+649.61 грн
100+588.17 грн
250+577.82 грн
450+572.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0160 Littelfuse_Power_Semiconductor_Silicon_Carbide__LSIC1MO120E0160_Datasheet.pdf
LSIC1MO120E0160
Виробник: IXYS
SiC MOSFETs 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+865.00 грн
10+724.03 грн
100+575.05 грн
450+551.58 грн
900+485.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0160 littelfuse_power_semiconductor_silicon_carbide_lsic1mo120e0160_datasheet.pdf.pdf
LSIC1MO120E0160
Виробник: Littelfuse
MOSFET 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+901.24 грн
10+782.78 грн
25+670.32 грн
50+649.61 грн
100+588.17 грн
250+577.82 грн
450+572.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.