Продукція > IXYS > LSIC1MO120G0040
LSIC1MO120G0040

LSIC1MO120G0040 IXYS

littelfuse_power_semiconductor_silicon_carbide_LSIC1MO120G0040_datasheet.pdf
Виробник: IXYS
SiC MOSFETs SiC MOSFET 1200V 40mO TO247-4L
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LSIC1MO120G0040 IXYS

Description: LITTELFUSE - LSIC1MO120G0040 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 357W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: LSIC1MO120 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції LSIC1MO120G0040

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
LSIC1MO120G0040 LSIC1MO120G0040 Littelfuse media-3322432.pdf MOSFET SIC MOSFET 1200V 80MO
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120G0040 LSIC1MO120G0040 LITTELFUSE littelfuse_power_semiconductor_silicon_carbide_lsic1mo120g0040_datasheet.pdf.pdf Description: LITTELFUSE - LSIC1MO120G0040 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: LSIC1MO120 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120G0040 media-3322432.pdf
LSIC1MO120G0040
Виробник: Littelfuse
MOSFET SIC MOSFET 1200V 80MO
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120G0040 littelfuse_power_semiconductor_silicon_carbide_lsic1mo120g0040_datasheet.pdf.pdf
LSIC1MO120G0040
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - LSIC1MO120G0040 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: LSIC1MO120 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.