Продукція > LITTELFUSE > LSIC1MO120G0040
LSIC1MO120G0040

LSIC1MO120G0040 LITTELFUSE

littelfuse_power_semiconductor_silicon_carbide_lsic1mo120g0040_datasheet.pdf.pdf
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - LSIC1MO120G0040 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: LSIC1MO120 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LSIC1MO120G0040 LITTELFUSE

Description: LITTELFUSE - LSIC1MO120G0040 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 357W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: LSIC1MO120 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції LSIC1MO120G0040

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
LSIC1MO120G0040 littelfuse_power_semiconductor_silicon_carbide_lsic1mo120g0040_datasheet.pdf.pdf MOSFET SIC 1200V 50A TO247-4L Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120G0040 LSIC1MO120G0040 Littelfuse Inc. littelfuse_power_semiconductor_silicon_carbide_lsic1mo120g0040_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET SIC 1200V 50A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 317 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120G0040 LSIC1MO120G0040 IXYS littelfuse_power_semiconductor_silicon_carbide_LSIC1MO120G0040_datasheet.pdf SiC MOSFETs SiC MOSFET 1200V 40mO TO247-4L
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120G0040 LITTELFUSE littelfuse_power_semiconductor_silicon_carbide_lsic1mo120g0040_datasheet.pdf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 130A; 357W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 175nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120G0040 Littelfuse media.pdf 1200 V, 40m Ohm N-Channel SiC MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120G0040 littelfuse_power_semiconductor_silicon_carbide_lsic1mo120g0040_datasheet.pdf.pdf
MOSFET SIC 1200V 50A TO247-4L Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120G0040 littelfuse_power_semiconductor_silicon_carbide_lsic1mo120g0040_datasheet.pdf.pdf
LSIC1MO120G0040
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET SIC 1200V 50A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 317 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120G0040 littelfuse_power_semiconductor_silicon_carbide_LSIC1MO120G0040_datasheet.pdf
LSIC1MO120G0040
Виробник: IXYS
SiC MOSFETs SiC MOSFET 1200V 40mO TO247-4L
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120G0040 littelfuse_power_semiconductor_silicon_carbide_lsic1mo120g0040_datasheet.pdf.pdf
Виробник: LITTELFUSE
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 130A; 357W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 175nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120G0040 media.pdf
Виробник: Littelfuse
1200 V, 40m Ohm N-Channel SiC MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.