Технічний опис LSIC1MO170E1000 Littelfuse
Description: SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2A, 20V, Power Dissipation (Max): 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247AD, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V, Vgs (Max): +22V, -6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції LSIC1MO170E1000 за ціною від 513.37 грн до 513.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LSIC1MO170E1000 | Виробник : LITTELFUSE |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 LSIC1MO170E1000 TLSIC1MO170E1000кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| LSIC1MO170E1000 | Виробник : LITTELFUSE |
LSIC1MO170E1000 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||
 |
LSIC1MO170E1000 | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2A, 20V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247AD Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +22V, -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V |
товару немає в наявності |