Продукція > LITTELFUSE > LSIC2SD120C10

LSIC2SD120C10 Littelfuse

littelfuse_power_semiconductor_silicon_carbide_LSI-1109675.pdf

Виробник: Littelfuse
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A 2-lead GEN2 SiC

на замовлення 2211 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис LSIC2SD120C10 Littelfuse

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO252L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 582pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 33A, Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Obsolete, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.

Інші пропозиції LSIC2SD120C10

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
LSIC2SD120C10	Виробник : Littelfuse	Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
LSIC2SD120C10	Виробник : Littelfuse Inc.	Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO252L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 582pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 33A Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
LSIC2SD120C10	Виробник : Littelfuse Inc.	Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO252L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 582pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 33A Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.