
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 6631.84 грн |
100+ | 3441.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LSIC2SD120N120PA Littelfuse
Description: DIODE MODULE SIC 1200V 120A, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції LSIC2SD120N120PA за ціною від 5900.93 грн до 7030.61 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
LSIC2SD120N120PA | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
LSIC2SD120N120PA | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
LSIC2SD120N120PA | Виробник : LITTELFUSE |
![]() Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 60Ax2; SOT227B; screw Type of semiconductor module: diode Semiconductor structure: double independent Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 60A x2 Case: SOT227B Max. forward voltage: 2.1V Max. forward impulse current: 0.44kA Electrical mounting: screw Features of semiconductor devices: Schottky Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||
LSIC2SD120N120PA | Виробник : LITTELFUSE |
![]() Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 60Ax2; SOT227B; screw Type of semiconductor module: diode Semiconductor structure: double independent Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 60A x2 Case: SOT227B Max. forward voltage: 2.1V Max. forward impulse current: 0.44kA Electrical mounting: screw Features of semiconductor devices: Schottky Technology: SiC |
товару немає в наявності |