на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1476.67 грн |
| 10+ | 1068.85 грн |
| 100+ | 898.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LSIC2SD120N40PA Littelfuse
Description: DIODE MOD SIC 1200V 42A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A (DC), Supplier Device Package: SOT-227B - miniBLOC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції LSIC2SD120N40PA за ціною від 1031.50 грн до 1485.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
LSIC2SD120N40PA | Виробник : IXYS |
 Description: DIODE MOD SIC 1200V 42A SOT227BPackaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A (DC) Supplier Device Package: SOT-227B - miniBLOC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| LSIC2SD120N40PA | Виробник : Littelfuse |
1200V/40A SiC SBD in SOT-227 |
товару немає в наявності |
||||||||
| LSIC2SD120N40PA | Виробник : LITTELFUSE |
Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 20Ax2; SOT227B; screw Case: SOT227B Electrical mounting: screw Technology: SiC Type of semiconductor module: diode Load current: 20A x2 Max. forward voltage: 2.1V Semiconductor structure: double independent Max. forward impulse current: 0.145kA Max. off-state voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: Schottky |
товару немає в наявності |