LSIC2SD120N40PA IXYS
Виробник: IXYSDescription: DIODE MOD SIC 1200V 42A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227B - miniBLOC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1642.61 грн |
| 10+ | 1140.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LSIC2SD120N40PA IXYS
Description: DIODE MOD SIC 1200V 42A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A (DC), Supplier Device Package: SOT-227B - miniBLOC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції LSIC2SD120N40PA за ціною від 919.17 грн до 1764.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
LSIC2SD120N40PA | Виробник : Littelfuse |
SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 40A SM SCHOTTKY |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| LSIC2SD120N40PA | Виробник : Littelfuse |
1200V/40A SiC SBD in SOT-227 |
товару немає в наявності |
||||||||||
| LSIC2SD120N40PA | Виробник : LITTELFUSE |
Category: Diode modulesDescription: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 20Ax2; SOT227B; screw Case: SOT227B Electrical mounting: screw Technology: SiC Type of semiconductor module: diode Load current: 20A x2 Max. forward voltage: 2.1V Semiconductor structure: double independent Max. forward impulse current: 0.145kA Max. off-state voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: Schottky |
товару немає в наявності |
