Продукція > LITTELFUSE > LSIC2SD120N80PA
LSIC2SD120N80PA

LSIC2SD120N80PA Littelfuse

littelfuse_power_semiconductor_silicon_carbide_lsic2sd120n80pa_datasheet.pdf.pdf Виробник: Littelfuse
SiC Schottky Diodes 1200V/80A SIC SBD IN SOT-227
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5956.77 грн
10+5276.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LSIC2SD120N80PA Littelfuse

Description: DIODE MOD SIC 1200V 75A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 75A (DC), Supplier Device Package: SOT-227B - miniBLOC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 40 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.

Інші пропозиції LSIC2SD120N80PA за ціною від 4630.97 грн до 6032.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
LSIC2SD120N80PA LSIC2SD120N80PA Виробник : IXYS littelfuse_power_semiconductor_silicon_carbide_lsic2sd120n80pa_datasheet.pdf.pdf Description: DIODE MOD SIC 1200V 75A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 75A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227B - miniBLOC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6032.79 грн
10+4630.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120N80PA Виробник : Littelfuse iconductor_silicon_carbide_lsic2sd120n80pa_datasheet.pdf.pdf Schottky Barrier Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120N80PA LSIC2SD120N80PA Виробник : LITTELFUSE LFSI-S-A0012188334-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - LSIC2SD120N80PA - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, 240 nC, SOT-227B
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2
Kapazitive Gesamtladung: 240
Anzahl der Pins: 4 Pins
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: SOT-227B
Diodenkonfiguration: Zweifach
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120N80PA Виробник : LITTELFUSE littelfuse_power_semiconductor_silicon_carbide_lsic2sd120n80pa_datasheet.pdf.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 40Ax2; SOT227B; screw
Type of module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 40A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 0.3kA
Electrical mounting: screw
Features of semiconductor devices: Schottky
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120N80PA Виробник : LITTELFUSE littelfuse_power_semiconductor_silicon_carbide_lsic2sd120n80pa_datasheet.pdf.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 40Ax2; SOT227B; screw
Type of module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 40A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 0.3kA
Electrical mounting: screw
Features of semiconductor devices: Schottky
Technology: SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.