LVE2560E-M3/P Vishay Semiconductors
на замовлення 1738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 395.58 грн |
| 10+ | 250.67 грн |
| 100+ | 178.34 грн |
| 500+ | 162.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LVE2560E-M3/P Vishay Semiconductors
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 4A GSIB-5S, Packaging: Tube, Package / Case: 4-SIP, GSIB-5S, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Technology: Standard, Supplier Device Package: GSIB-5S, Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V, Current - Average Rectified (Io): 4 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 12.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.
Інші пропозиції LVE2560E-M3/P за ціною від 162.58 грн до 446.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
LVE2560E-M3/P | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: BRIDGE RECT 1P 600V 4A GSIB-5SPackaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GSIB-5S Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: Standard Supplier Device Package: GSIB-5S Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 4 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 12.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
на замовлення 938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|