M3004316035NX0PTAR Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC RAM 4MBIT PAR 44TSOPII
Memory Organization: 256K x 16
Access Time: 35 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: RAM
Technology: MRAM (Magnetoresistive RAM)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис M3004316035NX0PTAR Renesas Electronics Corporation
Description: IC RAM 4MBIT PAR 44TSOPII, Memory Organization: 256K x 16, Access Time: 35 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 35ns, Supplier Device Package: 44-TSOP II, Memory Format: RAM, Technology: MRAM (Magnetoresistive RAM), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Operating Temperature: -40°C ~ 105°C, Memory Type: Non-Volatile, Memory Size: 4Mbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції M3004316035NX0PTAR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| M3004316035NX0PTAR | Renesas Electronics |
MRAM M3004316 MRAM PARALLEL 4MB X16 35NS |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. |
| M3004316035NX0PTAR |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics
MRAM M3004316 MRAM PARALLEL 4MB X16 35NS
MRAM M3004316 MRAM PARALLEL 4MB X16 35NS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику
од. на суму грн.


