M3008316035NX0ITBR Renesas Electronics Corporation


m3004316-m3008316-m3016316-m3032316-datasheet?r=1539076
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC RAM 8MBIT PAR 54TSOP
Memory Organization: 512K x 16
Access Time: 35 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 54-TSOP
Memory Format: RAM
Technology: MRAM (Magnetoresistive RAM)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 8Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис M3008316035NX0ITBR Renesas Electronics Corporation

Description: IC RAM 8MBIT PAR 54TSOP, Memory Organization: 512K x 16, Access Time: 35 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 35ns, Part Status: Active, Supplier Device Package: 54-TSOP, Memory Format: RAM, Technology: MRAM (Magnetoresistive RAM), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C, Memory Type: Non-Volatile, Memory Size: 8Mbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції M3008316035NX0ITBR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
M3008316035NX0ITBR Виробник : Renesas Electronics REN_Mxxxx316_DST_20210903-2930775.pdf MRAM M3008316 8MB PARALLEL ASYNCHRONOUS X16 35NS MRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.