M93С46-BN6 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM; Uживл, В = 4,5...5,5; Інтерфейс = Послідовний; Об. пам. = 1 Кбіт; Орг. пам. = 128 х 8 або 64 х 16; Тдост/Частота = 2 МГц; Тексп, °С = -40...+85; DIP-8
Послідовна пам'ять EEPROM; Uживл, В = 4,5...5,5; Інтерфейс = Послідовний; Об. пам. = 1 Кбіт; Орг. пам. = 128 х 8 або 64 х 16; Тдост/Частота = 2 МГц; Тексп, °С = -40...+85; DIP-8
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис M93С46-BN6 STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM; Uживл, В = 4,5...5,5; Інтерфейс = Послідовний; Об. пам. = 1 Кбіт; Орг. пам. = 128 х 8 або 64 х 16; Тдост/Частота = 2 МГц; Тексп, °С = -40...+85; DIP-8.
Інші пропозиції M93С46-BN6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
M93С46-BN6 Код товару: 86421
Додати до обраних
Обраний товар
|
Мікросхеми > Пам'ять |
товару немає в наявності
|