MAX22702DASA+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: DGTL ISO 3KV 1CH GATE DVR 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 2.35A, 3.7A
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Approval Agency: CSA, UL, VDE
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 3.6ns, 1.8ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 300kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 36ns, 36ns
Pulse Width Distortion (Max): 2ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 6V ~ 36V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 353.34 грн |
| 10+ | 305.64 грн |
| 25+ | 288.97 грн |
| 100+ | 235.04 грн |
| 300+ | 222.98 грн |
| 500+ | 200.08 грн |
| 1000+ | 165.98 грн |
| 2500+ | 157.68 грн |
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Технічний опис MAX22702DASA+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - MAX22702DASA+ - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), NSOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: -, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: GaN HEMT, SiC-MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: -, Versorgungsspannung, min.: 3V, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Eingabeverzögerung: 35ns, Ausgabeverzögerung: 35ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C.
Інші пропозиції MAX22702DASA+
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
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MAX22702DASA+ | ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - MAX22702DASA+ - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), NSOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 3V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: 35ns Ausgabeverzögerung: 35ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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MAX22702DASA+ | Analog Devices / Maxim Integrated |
Gate Drivers Ultra-High CMTI Silicon-Carbide (SiC) ga |
на замовлення 410 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MAX22702DASA+ |
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Виробник: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - MAX22702DASA+ - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 35ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ANALOG DEVICES - MAX22702DASA+ - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 35ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MAX22702DASA+ |
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Виробник: Analog Devices / Maxim Integrated
Gate Drivers Ultra-High CMTI Silicon-Carbide (SiC) ga
Gate Drivers Ultra-High CMTI Silicon-Carbide (SiC) ga
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)