Продукція > MAXIM > MAX2601ESA+T

MAX2601ESA+T MAXIM

Name: MAX2601ESA+T
Brand: Analog Devices / Maxim Integrated
SKU: 9484060-4
Price: 865300.00 UAH
Availability: BackOrder

Виробник: MAXIM
2010+ SOP8

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис MAX2601ESA+T MAXIM

Description: RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8-SOIC-EP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 11.6dB, Power - Max: 6.4W, Current - Collector (Ic) (Max): 1.2A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 250mA, 3V, Frequency - Transition: 1GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz, Supplier Device Package: 8-SOIC-EP, Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції MAX2601ESA+T

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
MAX2601ESA+T	Виробник : Maxim	Trans RF BJT NPN 17V 1.2A 8-Pin SOIC EP T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
MAX2601ESA+T	Виробник : Analog Devices, Inc.	Trans RF BJT NPN 17V 1.2A 6400mW 8-Pin SOIC EP T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
MAX2601ESA+T	Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated	Description: RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8-SOIC-EP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 11.6dB Power - Max: 6.4W Current - Collector (Ic) (Max): 1.2A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 250mA, 3V Frequency - Transition: 1GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz Supplier Device Package: 8-SOIC-EP Part Status: Active	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
MAX2601ESA-T	Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated	Description: RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8-SOIC-EP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 11.6dB Power - Max: 6.4W Current - Collector (Ic) (Max): 1.2A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 250mA, 3V Frequency - Transition: 1GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz Supplier Device Package: 8-SOIC-EP Part Status: Obsolete	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
MAX2601ESA+T	Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated	RF Bipolar Transistors 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.