на замовлення 1643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1035+ | 11.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MB2S-E3/45 Vishay
Description: VISHAY - MB2S-E3/45 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 200 V, 500 mA, TO-269AA, 4 Pin(s), 1 V, tariffCode: 85411000, Durchlassstoßstrom: 35A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchlassspannung, max.: 1V, Bauform - Brückengleichrichter: TO-269AA, usEccn: EAR99, Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage, Anzahl der Phasen: Eine Phase, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: MB2S, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції MB2S-E3/45 за ціною від 9.75 грн до 73.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MB2S-E3/45 | Виробник : Vishay |
 Diode Rectifier Bridge Single 200V 0.8A 4-Pin TO-269AA Tube |
на замовлення 1643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MB2S-E3/45 | Виробник : Vishay |
Diode Rectifier Bridge Single 200V 0.8A 4-Pin TO-269AA Tube |
на замовлення 2738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MB2S-E3/45 | Виробник : Vishay |
Diode Rectifier Bridge Single 200V 0.8A 4-Pin TO-269AA Tube |
на замовлення 2738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MB2S-E3/45 | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Bridge Rectifiers 0.5 Amp 400 Volt |
на замовлення 3120 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MB2S-E3/45 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - MB2S-E3/45 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 200 V, 500 mA, TO-269AA, 4 Pin(s), 1 V tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 35A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1V Bauform - Brückengleichrichter: TO-269AA usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: MB2S productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 2253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MB2S-E3/45 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: BRIDGE RECT 1P 200V 0.5A TO269AA Packaging: Tube Package / Case: TO-269AA, 4-BESOP Mounting Type: Surface Mount Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: TO-269AA (MBS) Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V Current - Average Rectified (Io): 500 mA Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 400 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
на замовлення 5685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MB2S-E3/45 | Виробник : Vishay |
Rectifier Bridge Diode Single 200V 0.8A 4-Pin TO-269AA Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| MB2S-E3/45 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif. Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 0.5A; Ifsm: 35A Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 200V Load current: 0.5A Max. forward impulse current: 35A Case: MBS; TO269AA Electrical mounting: SMT Kind of package: tube Max. forward voltage: 1V Features of semiconductor devices: glass passivated кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| MB2S-E3/45 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif. Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 0.5A; Ifsm: 35A Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 200V Load current: 0.5A Max. forward impulse current: 35A Case: MBS; TO269AA Electrical mounting: SMT Kind of package: tube Max. forward voltage: 1V Features of semiconductor devices: glass passivated |
товару немає в наявності |