MB6M-E3/45 Vishay General Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.91 грн |
| 10+ | 42.39 грн |
| 100+ | 25.50 грн |
| 500+ | 21.39 грн |
| 1000+ | 16.23 грн |
| 2500+ | 15.95 грн |
| 5000+ | 15.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MB6M-E3/45 Vishay General Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 500MA MBM, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 400 mA, Current - Average Rectified (Io): 500 mA, Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V, Part Status: Active, Supplier Device Package: MBM, Technology: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Diode Type: Single Phase, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: 4-DIP (0.200", 5.08mm), Packaging: Tube.
Інші пропозиції MB6M-E3/45
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MB6M-E3/45 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: BRIDGE RECT 1P 600V 500MA MBMCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 400 mA Current - Average Rectified (Io): 500 mA Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Part Status: Active Supplier Device Package: MBM Technology: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Diode Type: Single Phase Mounting Type: Through Hole Package / Case: 4-DIP (0.200", 5.08mm) Packaging: Tube |
товару немає в наявності |