MBR10150CTH Taiwan Semiconductor
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 74.24 грн |
| 10+ | 60.41 грн |
| 100+ | 40.83 грн |
| 500+ | 34.58 грн |
| 1000+ | 28.18 грн |
| 2500+ | 26.56 грн |
| 5000+ | 25.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBR10150CTH Taiwan Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOT 150V 10A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A, Supplier Device Package: TO-220AB, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції MBR10150CTH
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MBR10150CTH | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARR SCHOT 150V 10A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-220AB Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |