MBR10200 Taiwan Semiconductor
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 86.43 грн |
| 10+ | 53.64 грн |
| 100+ | 30.87 грн |
| 500+ | 25.31 грн |
| 1000+ | 21.88 грн |
| 2500+ | 20.03 грн |
| 5000+ | 18.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBR10200 Taiwan Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V.
Інші пропозиції MBR10200
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MBR10200 | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
 Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220ACPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |