MBR10H150CT Taiwan Semiconductor
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 93.33 грн |
| 50+ | 91.12 грн |
| 100+ | 60.11 грн |
| 500+ | 50.89 грн |
| 1000+ | 31.77 грн |
| 2500+ | 30.32 грн |
| 5000+ | 29.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBR10H150CT Taiwan Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOT 150V 10A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A, Supplier Device Package: TO-220AB, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 970 mV @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V.
Інші пропозиції MBR10H150CT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MBR10H150CT | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
 Description: DIODE ARR SCHOT 150V 10A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-220AB Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 970 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |