
MBR10H200CT Taiwan Semiconductor Corporation

Description: DIODE ARR SCHOT 200V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 970 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 86.74 грн |
50+ | 43.02 грн |
100+ | 38.75 грн |
500+ | 29.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBR10H200CT Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARR SCHOT 200V 10A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A, Supplier Device Package: TO-220AB, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 970 mV @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V.
Інші пропозиції MBR10H200CT
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
MBR10H200CT | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||
MBR10H200CT | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
MBR10H200CT | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |