
MBR120VLSFT3G ON Semiconductor
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
10000+ | 22.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBR120VLSFT3G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MBR120VLSFT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 1 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 340 mV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOD-123FL, Durchlassstoßstrom: 45A, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 340mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: MBR12, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MBR120VLSFT3G за ціною від 12.33 грн до 48.08 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MBR120VLSFT3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBR120VLSFT3G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123FL Durchlassstoßstrom: 45A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 340mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MBR12 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 9615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBR120VLSFT3G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123FL Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 340 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 20 V |
на замовлення 9826 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBR120VLSFT3G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 15997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBR120VLSFT3G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123FL Durchlassstoßstrom: 45A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 340mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MBR12 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 9615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBR120VLSFT3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
MBR120VLSFT3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
MBR120VLSFT3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
MBR120VLSFT3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
MBR120VLSFT3G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123FL Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 340 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 20 V |
товару немає в наявності |