
MBR1635G ON Semiconductor
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBR1635G ON Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 16A TO2202, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 16A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 16 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 35 V.
Інші пропозиції MBR1635G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
MBR1635G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 282 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
![]() |
MBR1635G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
MBR1635G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 35 V |
товару немає в наявності |