Продукція > DACO SEMICONDUCTOR > MBR20030CT
MBR20030CT

MBR20030CT DACO Semiconductor

MBR20030CT.pdf Виробник: DACO Semiconductor
Description: DIODE MODULE SCHOTTKY 30V 100A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5332.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MBR20030CT DACO Semiconductor

Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 200A 2TOWER, Packaging: Bulk, Package / Case: Twin Tower, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC), Supplier Device Package: Twin Tower, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 100 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V.

Інші пропозиції MBR20030CT

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MBR20030CT Виробник : MOTOROLA MBR20030CT.pdf mbr20020ct.pdf
на замовлення 594 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20030CT MBR20030CT Виробник : GeneSiC Semiconductor 17mbr20020ct_thru_mbr20040ctr.pdf Rectifier Diode Schottky 30V 200A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20030CT MBR20030CT Виробник : Navitas Semiconductor, Inc. mbr20020ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 200A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20030CT MBR20030CT Виробник : GeneSiC Semiconductor mbr20030ct.pdf Diode Modules 30V 200A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.