
MBR2560CT ON Semiconductor
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 113.02 грн |
10+ | 103.30 грн |
100+ | 73.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBR2560CT ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MBR2560CT - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 25 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s), 820 mV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AB, Durchlassstoßstrom: 200A, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 820mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 60V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MBR2560CT за ціною від 58.95 грн до 175.94 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MBR2560CT | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AB Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 820mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 60V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
MBR2560CT | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 12.5A Supplier Device Package: TO-220-3 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Not For New Designs Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 12.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 60 V |
на замовлення 206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
MBR2560CT | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 922 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
MBR2560CT | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
MBR2560CT | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
MBR2560CT | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
MBR2560CT | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
MBR2560CT | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
MBR2560CT | Виробник : EIC |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||
MBR2560CT | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||
MBR2560CT | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||
![]() |
MBR2560CT | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |