MBR2X080A180 GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 180V 80A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 180 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 80 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBR2X080A180 GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 180V 80A SOT227, Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 180 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 80 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180 V, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Supplier Device Package: SOT-227, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A, Diode Configuration: 2 Independent, Technology: Schottky, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції MBR2X080A180
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MBR2X080A180 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 180V 160A Fwd Schottky |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 156 шт В кошику од. на суму грн. |
| MBR2X080A180 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 180V 160A Fwd Schottky
Discrete Semiconductor Modules 180V 160A Fwd Schottky
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику
од. на суму грн.