Технічний опис MBR2X120A080 GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 120A SOT227, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A, Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 120 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 80 V.
Інші пропозиції MBR2X120A080
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
MBR2X120A080 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
MBR2X120A080 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 120 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 80 V |
товару немає в наявності |
|
|
MBR2X120A080 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |