MBR30045CT GeneSiC Semiconductor
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7571.32 грн |
| 10+ | 6532.24 грн |
| 25+ | 5378.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBR30045CT GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 45V 150A 2TOWER, Packaging: Bulk, Package / Case: Twin Tower, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A, Supplier Device Package: Twin Tower, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 150 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 mA @ 20 V.
Інші пропозиції MBR30045CT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MBR30045CT | Виробник : module |
 |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| MBR30045CT | Виробник : HITACHI |
MODULE |
на замовлення 306 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
MBR30045CT | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 45V 300A 3-Pin Twin Tower |
товару немає в наявності |
|
 |
MBR30045CT | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 45V 150A 2TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 150 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 mA @ 20 V |
товару немає в наявності |