
MBR30200PT Taiwan Semiconductor
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 219.98 грн |
10+ | 160.49 грн |
100+ | 111.35 грн |
500+ | 92.79 грн |
900+ | 73.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBR30200PT Taiwan Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOT 200V 30A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A, Supplier Device Package: TO-247AD (TO-3P), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V.
Інші пропозиції MBR30200PT за ціною від 49.98 грн до 49.98 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MBR30200PT | Виробник : Yangjie Electronic Technology |
![]() |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
MBR30200PT | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 200V; 30A; TO247-3; Ufmax: 0.9V Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 30A Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Max. forward voltage: 0.9V Max. forward impulse current: 250A Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
MBR30200PT | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Supplier Device Package: TO-247AD (TO-3P) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |
|||||
MBR30200PT | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||
![]() |
MBR30200PT | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 200V; 30A; TO247-3; Ufmax: 0.9V Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 30A Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Max. forward voltage: 0.9V Max. forward impulse current: 250A Kind of package: tube |
товару немає в наявності |