
MBR30H100MFST3G ON Semiconductor
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
350+ | 87.04 грн |
500+ | 83.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBR30H100MFST3G ON Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 30A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V.
Інші пропозиції MBR30H100MFST3G за ціною від 59.52 грн до 181.52 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MBR30H100MFST3G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V |
на замовлення 3978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
MBR30H100MFST3G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 4637 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
MBR30H100MFST3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
MBR30H100MFST3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
MBR30H100MFST3G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5x6; SMD; 100V; 30A; reel,tape Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Case: DFN5x6 Max. off-state voltage: 100V Max. forward voltage: 0.9V Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 0.3kA кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
MBR30H100MFST3G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
MBR30H100MFST3G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5x6; SMD; 100V; 30A; reel,tape Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Case: DFN5x6 Max. off-state voltage: 100V Max. forward voltage: 0.9V Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 0.3kA |
товару немає в наявності |