
MBR3535 GeneSiC Semiconductor
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1440.22 грн |
10+ | 1205.60 грн |
25+ | 982.87 грн |
100+ | 890.18 грн |
250+ | 867.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBR3535 GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 35A DO4, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud, Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 35A, Supplier Device Package: DO-4, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 35 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V.
Інші пропозиції MBR3535
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
MBR3535 | Виробник : MOTOROLA |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
MBR3535 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||
MBR3535 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 35A Supplier Device Package: DO-4 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 35 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V |
товару немає в наявності |