MBR3535R GeneSiC Semiconductor
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1510.38 грн |
| 10+ | 1268.53 грн |
| 25+ | 1035.55 грн |
| 100+ | 969.49 грн |
| 250+ | 916.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBR3535R GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY REV 35V 35A DO4, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud, Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Reverse Polarity, Current - Average Rectified (Io): 35A, Supplier Device Package: DO-4, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 35 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V.
Інші пропозиції MBR3535R
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MBR3535R | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
 Diode Schottky 35V 35A 2-Pin DO-4 |
товару немає в наявності |
||
| MBR3535R | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY REV 35V 35A DO4 Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky, Reverse Polarity Current - Average Rectified (Io): 35A Supplier Device Package: DO-4 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 35 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V |
товару немає в наявності |