
MBR3560R GeneSiC Semiconductor
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1415.66 грн |
10+ | 1189.22 грн |
25+ | 970.28 грн |
100+ | 881.38 грн |
250+ | 859.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBR3560R GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY REV 60V 35A DO4, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud, Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Reverse Polarity, Current - Average Rectified (Io): 35A, Supplier Device Package: DO-4, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 35 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V.
Інші пропозиції MBR3560R за ціною від 1125.31 грн до 1461.36 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MBR3560R | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky, Reverse Polarity Current - Average Rectified (Io): 35A Supplier Device Package: DO-4 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 35 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|