MBR50080CTR GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 250A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 250 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBR50080CTR GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 250A 2TOWER, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 250 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Part Status: Obsolete, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: Twin Tower, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A, Diode Configuration: 1 Pair Common Anode, Technology: Schottky, Reverse Polarity, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Twin Tower, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції MBR50080CTR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MBR50080CTR | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 80P56RV |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MBR50080CTR |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 80P56RV
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 80P56RV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.