Технічний опис MBR600100CT GeneSiC Semiconductor
Category: Diode modules, Description: Module: diode; double,common cathode; 100V; If: 300Ax2; Twin tower, Max. off-state voltage: 100V, Load current: 300A x2, Semiconductor structure: common cathode; double, Case: Twin tower, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: diode, Features of semiconductor devices: Schottky, Max. forward voltage: 0.84V, Max. forward impulse current: 4kA, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MBR600100CT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MBR600100CT | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
 Diode Schottky 100V 600A 3-Pin Twin Tower |
товару немає в наявності |
|
 |
MBR600100CT | Виробник : DACO Semiconductor |
Category: Diode modules Description: Module: diode; double,common cathode; 100V; If: 300Ax2; Twin tower Max. off-state voltage: 100V Load current: 300A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: Twin tower Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: diode Features of semiconductor devices: Schottky Max. forward voltage: 0.84V Max. forward impulse current: 4kA кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
MBR600100CT | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER |
товару немає в наявності |
|
 |
MBR600100CT | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 600A100P/70 |
товару немає в наявності |
|
|
|
MBR600100CT | Виробник : DACO Semiconductor |
Category: Diode modules Description: Module: diode; double,common cathode; 100V; If: 300Ax2; Twin tower Max. off-state voltage: 100V Load current: 300A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: Twin tower Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: diode Features of semiconductor devices: Schottky Max. forward voltage: 0.84V Max. forward impulse current: 4kA |
товару немає в наявності |