MBR600100CT DACO Semiconductor
Виробник: DACO SemiconductorDescription: DIODE MODULE SCHOTTKY 100V 300A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6442.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBR600100CT DACO Semiconductor
Description: DIODE MODULE SCHOTTKY 100V 300A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 300 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V.
Інші пропозиції MBR600100CT за ціною від 5133.48 грн до 10282.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MBR600100CT | Виробник : DACO Semiconductor |
Category: Diode modules Description: Module: diode; double,common cathode; 100V; If: 300Ax2; Twin tower Semiconductor structure: common cathode; double Type of semiconductor module: diode Features of semiconductor devices: Schottky Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Case: Twin tower Max. forward voltage: 0.84V Max. off-state voltage: 100V Load current: 300A x2 Max. forward impulse current: 4kA |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
MBR600100CT | Виробник : DACO Semiconductor |
Category: Diode modules Description: Module: diode; double,common cathode; 100V; If: 300Ax2; Twin tower Semiconductor structure: common cathode; double Type of semiconductor module: diode Features of semiconductor devices: Schottky Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Case: Twin tower Max. forward voltage: 0.84V Max. off-state voltage: 100V Load current: 300A x2 Max. forward impulse current: 4kA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
MBR600100CT | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 600A100P/70 |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| MBR600100CT | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 100V 600A 3-Pin Twin Tower |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
MBR600100CT | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 100V 600A 3-Pin Twin Tower |
товару немає в наявності |