
MBR600100CT DACO Semiconductor

Category: Diode modules
Description: Module: diode; double,common cathode; 100V; If: 300Ax2; Twin tower
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 300A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: Twin tower
Electrical mounting: screw
Max. forward voltage: 0.84V
Max. forward impulse current: 4kA
Type of semiconductor module: diode
Features of semiconductor devices: Schottky
Mechanical mounting: screw
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4891.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBR600100CT DACO Semiconductor
Description: DIODE MODULE SCHOTTKY 100V 300A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 300 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V.
Інші пропозиції MBR600100CT за ціною від 5869.98 грн до 10063.83 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MBR600100CT | Виробник : DACO Semiconductor |
![]() Description: Module: diode; double,common cathode; 100V; If: 300Ax2; Twin tower Max. off-state voltage: 100V Load current: 300A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: Twin tower Electrical mounting: screw Max. forward voltage: 0.84V Max. forward impulse current: 4kA Type of semiconductor module: diode Features of semiconductor devices: Schottky Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
MBR600100CT | Виробник : DACO Semiconductor |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 300 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
MBR600100CT | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
MBR600100CT | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||
![]() |
MBR600100CT | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |