Продукція > DACO SEMICONDUCTOR > MBR600100CT
MBR600100CT

MBR600100CT DACO Semiconductor

MBR600100CT.pdf
Виробник: DACO Semiconductor
Description: DIODE MODULE SCHOTTKY 100V 300A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 300 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+6000.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MBR600100CT DACO Semiconductor

Description: DIODE MODULE SCHOTTKY 100V 300A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 300 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Technology: Schottky, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Tray.

Інші пропозиції MBR600100CT

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MBR600100CT MBR600100CT GeneSiC Semiconductor mbr600100ct.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 600A100P/70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR600100CT MBR600100CT DACO Semiconductor MBR600100CT.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double,common cathode; 100V; If: 300Ax2; Twin tower
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 300A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: Twin tower
Max. forward voltage: 0.84V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Max. forward impulse current: 4kA
Type of semiconductor module: diode
Features of semiconductor devices: Schottky
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR600100CT MBR600100CT GeneSiC Semiconductor 36162469669457432mbr60045ct_thru_mbr600100ctr.pdf Diode Schottky 100V 600A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR600100CT mbr600100ct.pdf
MBR600100CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 600A100P/70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR600100CT MBR600100CT.pdf
MBR600100CT
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double,common cathode; 100V; If: 300Ax2; Twin tower
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 300A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: Twin tower
Max. forward voltage: 0.84V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Max. forward impulse current: 4kA
Type of semiconductor module: diode
Features of semiconductor devices: Schottky
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR600100CT 36162469669457432mbr60045ct_thru_mbr600100ctr.pdf
MBR600100CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 100V 600A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.