MBR600200CTR DACO Semiconductor
Виробник: DACO Semiconductor
Description: DIODE MODULE SCHOTTKY 200V 300A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 mA @ 200 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBR600200CTR DACO Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 200V 300A 2TOWER, Technology: Schottky, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Twin Tower, Packaging: Bulk, Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 300 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: Twin Tower, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A, Diode Configuration: 1 Pair Common Anode.
Інші пропозиції MBR600200CTR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MBR600200CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOT 200V 300A 2TOWER Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 300 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
MBR600200CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 150V 600A Reverse |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. |
| MBR600200CTR |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 200V 300A 2TOWER
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 300 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Description: DIODE MOD SCHOT 200V 300A 2TOWER
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 300 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR600200CTR |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 150V 600A Reverse
Diode Modules 150V 600A Reverse
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.