MBR60020CT DACO Semiconductor


MBR60020CT.pdf
Виробник: DACO Semiconductor
Description: DIODE MODULE SCHOTTKY 20V 300A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+6068.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MBR60020CT DACO Semiconductor

Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 300A 2TOWER, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: Twin Tower, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Technology: Schottky, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Twin Tower, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції MBR60020CT

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MBR60020CT MBR60020CT GeneSiC Semiconductor mbr60020ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 300A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR60020CT MBR60020CT GeneSiC Semiconductor mbr60020ct.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 600A 20P/14
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR60020CT mbr60020ctr.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 300A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR60020CT mbr60020ct.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 600A 20P/14
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.