MBR60040CTR GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MOD SCHOTT 40V 300A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 9587.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBR60040CTR GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 300A 2TOWER, Packaging: Bulk, Package / Case: Twin Tower, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Anode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A, Supplier Device Package: Twin Tower, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V.
Інші пропозиції MBR60040CTR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MBR60040CTR | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 40V 600A 3-Pin Twin Tower |
товару немає в наявності |
||
 |
MBR60040CTR | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 40V 600A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |