MBR8035 GeneSiC Semiconductor
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1984.38 грн |
| 10+ | 1648.07 грн |
| 25+ | 1344.09 грн |
| 100+ | 1255.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBR8035 GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 80A DO5, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud, Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 80A, Supplier Device Package: DO-5, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 80 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 35 V.
Інші пропозиції MBR8035
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MBR8035 | Виробник : MOTOROLA |
 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| MBR8035 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 80A DO5 Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 80A Supplier Device Package: DO-5 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 80 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 35 V |
товару немає в наявності |