MBR8H100MFST1G onsemi
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 31.48 грн |
| 12+ | 27.18 грн |
| 100+ | 22.03 грн |
| 1000+ | 20.57 грн |
| 1500+ | 19.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBR8H100MFST1G onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V.
Інші пропозиції MBR8H100MFST1G за ціною від 24.20 грн до 83.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MBR8H100MFST1G | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A 5DFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V |
на замовлення 943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
MBR8H100MFST1G | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Schottky 100V 8A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
MBR8H100MFST1G | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A 5DFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| MBR8H100MFST1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; DFN5x6; SMD; 100V; 8A; reel,tape Mounting: SMD Load current: 8A Max. forward impulse current: 75A Max. off-state voltage: 0.1kV Case: DFN5x6 Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.9V |
товару немає в наявності |


