
MBRD1035CTLT4G ON Semiconductor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 23.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBRD1035CTLT4G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MBRD1035CTLT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Durchlassstoßstrom: 50A, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 560mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 35V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MBRD1, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MBRD1035CTLT4G за ціною від 21.05 грн до 87.12 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MBRD1035CTLT4G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 35 V |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MBRD1035CTLT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MBRD1035CTLT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MBRD1035CTLT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MBRD1035CTLT4G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 560mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 35V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MBRD1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MBRD1035CTLT4G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SMD; 35V; 5Ax2; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: DPAK Mounting: SMD Max. off-state voltage: 35V Load current: 5A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward voltage: 0.55V Kind of package: reel; tape Max. load current: 10A |
на замовлення 1001 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MBRD1035CTLT4G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 35 V |
на замовлення 7652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MBRD1035CTLT4G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SMD; 35V; 5Ax2; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: DPAK Mounting: SMD Max. off-state voltage: 35V Load current: 5A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward voltage: 0.55V Kind of package: reel; tape Max. load current: 10A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1001 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MBRD1035CTLT4G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 560mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 35V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MBRD1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MBRD1035CTLT4G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 6658 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MBRD1035CTLT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
MBRD1035CTLT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
MBRD1035CTLT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
MBRD1035CTLT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |